| 型号： | IKD10N60R | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | IGBT 600V 20A 150W TO252-3 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 |
| IKD10N60R PDF |  |
| 产品目录绘图 | Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | TrenchStop™ |
| IGBT 类型 | 沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2.1V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 20A |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 输入类型 | 标准 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1620 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | IKD10N60RINCT |